物理所在钙钛矿半金属制备方面未获进展

磁场性半镀层（half metal）是一类重要的电磁场场射频学器皿料，较强独特的也就是说骨架。其中会一种电磁场场取向（如电磁场场向右）的射频打开能隙，不作准备绝缘体；而另一种电磁场场取向（如电磁场场垂直）的射频穿过费米大面，作准备绝缘体。因此，假说上半镀层较强100%电磁场场极化的自由射频，在技术磁场记录、磁场存储、高效磁场激光、电磁场场LCD等诸多信息技术较强广阔的信息技术发展前景。要实现半镀层的信息技术，一方大面需要器皿料较强低温以上的居里温度（TC）；另一方大面为防止热激活不稳定性激发禁带自由射频降低极化率，需要较强较宽的半镀层带隙（> 1.5 eV）；此外，为提高电磁场场流入率，需要较大的封闭磁场矩。然而，现阶段有数的半镀层难以同时满足上述尽快，研发区域性能极佳的半镀层器皿料是一个重大挑战。

所示1 新型式A、B位互补四重钙钛矿LaCu3Fe2Re2O12的XRD精修所示和晶体骨架平面所示

有数日，中会国科学院化学科学研究所/成都凝聚态化学东欧国家科学研究中会心磁场学东欧国家重点实验室M08第一组科学研究员龙有文团队透过冷却冷却目的成功制取了一种兼具高磁场热力学温度TC、较宽电磁场场带隙Eg （2.3 eV）以及大封闭磁场矩MN （8.0μB/f.u.）的钙钛矿半镀层LaCu3Fe2Re2O12（LCFRO），该器皿料较强极佳的区域性能，特别是其TC将有数710 K，是现阶段钙钛矿体系中会TC最高的半镀层，较强很差的信息技术发展前景。

在前期科学研究中会，该团队透过冷却冷却目的获得了新型式钙钛矿器皿器皿料LaCu3Co2Re2O12。该器皿料较强较宽的电磁场场带隙（1.9 eV）、有数100%的B位互补度以及比同类器皿料愈来愈大的低场磁场电阻，但痛心的是TC在低温以下。为了有所提高半镀层器皿料的TC，改善其区域性能，基于海森堡模型式，该团队将B位的Co2+碱金属替换成较强愈来愈多未配对射频的Fe3+碱金属，体现冷却冷却衍生物优势，在9 GPa和1273 K的前提条件下成功制取了A位和B位同时高度互补的四重钙钛矿LaCu3Fe2Re2O12。通过XRD、磁场学、电电学、热学以及同步太阳光X光吸收谱与磁场圆二色谱等一系列骨架表征与综合器皿性试验，同时与化学所科学研究员杨义峰团队合作，结合第一性原理测算，对LCFRO同步进行了详细科学研究。

所示2 LaCu3Fe2Re2O12的磁场性随温度和外磁场场的变化关系

试验结果表明，LCFRO的电荷第一组态为LaCu2+3Fe3+2Re4.5+2O12，较强Cu2+(↑)-Fe3+(↑)-Re4.5+(↓)亚磁性材料场的电磁场场分列方式为，其TC将有数710 K，而在2 K，7 T前提条件下每个衍生器皿较强8.0 μB的大封闭磁场矩。电输送试验与比热容试验结果表明LCFRO较强巡游射频特征。此外，该器皿料“butterfly”型式的磁场电阻行为，预示着其电磁场场极化自由射频源于多晶样本间的隧穿不稳定性，与很多钙钛矿磁场性半镀层类似。有利于，通过第一性原理测算，推测LCFRO电磁场场向右的也就是说展现出出绝缘体行为，带隙将有数2.3 eV；而电磁场场垂直的也就是说则展现出出镀层行为，费米能级EF西南方态密度主要由Re碱金属开创性。并且，假说测算中会当转变Ueff的大小时，非常转变LCFRO的半镀层直觉，只是也就是说具体形貌和带隙数值有轻微的变化。因此，实验与假说均不可否认LCFRO的半镀层性。如果定义半镀层区域性能指标参数 α = TC × Eg × MN同步进行比较时，推测在所有TC极小低温的氧化器皿半镀层器皿料中会，LaCu3Fe2Re2O12较强最高的区域性能指标。

所示3 透过第一性原理测算受益的LaCu3Fe2Re2O12也就是说骨架所示

所示4 TC极小低温的氧化器皿半镀层器皿料区域性能指标α对比所示

该器皿料的制取与科学研究提供了一个嵌入式磁场性半镀层的范例，为探索较强实际信息技术发展前景的半镀层器皿料提供了新的思路。关的成果以Realization of a Half Metal with a Record-High Curie Temperature in Perovskite Oxides新书因特网出版在Advanced Materials上。

该工作获得了科学技术部、重点建设项目委、朝阳区自然科学基金委、清华大学、东欧国家博士后国际化人力资源大力支持计划等建设项目的资助。

举例来说： 化学科学研究所

研究成果元数据

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